二、“十一五”发展情况
1、自主创新情况
“十一五”期间，公司研发成果硕果累累，共开发出140多种集成电路封装新产品；自主研发的19项新产品新技术通过了甘肃省科学技术厅和甘肃省工信委的科技成果、新产品（新技术）鉴定，其中有5项达到国际先进水平，16项达到国内领先水平；获国家知识产权局授权专利21项，其中发明专利5项，实用新型专利15项，外观设计专利1项；“BGA集成电路高密度封装产品”获国家重点新产品，“LIP封装技术”、“带腔体的光电封装技术”、“集成电路铜线键合封装技术”、“TF/LFBGA封装技术”连续四届获得中国半导体创新产品和技术，“PQFP100L IC堆叠集成电路封装”获中国电子学三等奖。
公司通过承担国家02科技重大专项（极大规模集成电路制造装备及成套工艺）的《多芯片封装（MCP）技术研发》项目，在国际先进集成电路封装方面有了很大突破，解决了SiP封装中的塑封紊流等世界性难题，die to die、over die、MCM(side by side)、stack die等核心技术，开发出SiP高端封装产品。TF/LFBGA基板设计采用了无样本工程设计与分析系统，自主开发并掌握了正/反打等多种线弧的超低弧度焊线技术，多段注塑防冲丝、防离层、防翘曲封装技术，以及75µm以下厚度封装产品的可靠性、可塑性以及翘曲的协同设计技术等多种技术，实现了芯片厚度为75µm的5层堆叠和三层隔片封装验证，通过了MSL3可靠性考核。与13所（中国电子科技集团公司第十三研究所）联合成功开发出TO252T-5L/TO263-5L MEMS产品。自主研发出2圈QFN产品。
通过承担甘肃省科技重大专项《集成电路铜线键合封装研发及产业化》项目，自主研发的铜线键合集成电路封装工艺技术达到国际先进水平，公司现拥有74种铜线键合产品，铜线键合封装技术的广泛采用有效降低了生产经营成本，增强了公司的核心竞争能力。
2、生产经营情况
“十一五”期间，通过《集成电路高端封装产业化》、《DFN型微小形封装集成电路生产线技术改造》等项目的持续有效实施，公司的产业规模、盈利能力不断扩大，到“十一五”末，公司的集成电路年封装能力已达到60亿块，与“十一五”初相比增长了4倍，集成电路产量增长了2.8倍，产业规模和收入水平稳居国内同行企业第三位。
